By acemachvisvella2019 年 9 月 20 日 EUV既複雜又昂貴，但EUV微影將在半導體製程微縮至最小節點上不可或缺，關鍵是採用這種技術的時間點。 開發極紫外光(EUV)微影的過程漫長且艱困，運用了廣泛的技術科目，投入整個半導體供應鏈的龐大人力與組織；在數十年的專注努力之後，今日該技術已經能被應用在生產環境。 但是就算某種技術可用，並不代表市場一定要採用；在EUV目前的發展階段，值得退一步思考──依據不斷增加的實際生產經驗──高階晶片製程接下來應該是什麼樣子，無論會不會有EUV的新圖形化(patterning)功能。 藉由對典型7奈米製程的了解所提供之比較點，我們的感覺是，EUV現在可減少約20%的光罩階層，因此縮減量產週期時間。雖然透過多重圖形策略，7奈米生產當然可能不需要用到EUV，但是這種方法現在來到了為整體生產流程添加周轉時間(turnaround-time)的程度，這可會因此影響半導體業者的敏捷性與產品上市時程，這些對於服務客戶的能力十分關鍵。 此外，與多重圖形策略相較，轉向較短EUV波長(13.5奈米vs. 193奈米)似乎也帶來了邊緣放置誤差(edge placement error)的降低，以及圖案缺陷(pattern fidelity)問題的改善；這兩種效果都能對現在與未來的元件性能與良率帶來好處。 更廣泛地說，由EUV所提供的簡化也為產品設計工程師減輕了負擔，這些人不必再擔心得繼續「壓榨」193奈米浸潤式微影技術，好支援三重或四重圖形技術的問題。 顯然，EUV代表了能解決許多當前晶片製造領域所面臨之挑戰的唯一可行方案，藉由克服這些在未來的製程節點只會不斷升高的挑戰，將有助於晶圓代工業者為已經對自己的問題(例如冗長的產品開發時程以及如今動輒上億美元的開發成本)焦頭爛額的客戶們減輕壓力。 另一個比較點是從7奈米過渡到5奈米。近幾年，幾乎每一個新的製程演進都需要新的、更複雜的微影策略，才能讓193奈米浸潤式微影能再撐久一點；這都要歸功於成功實現此目標的研究人員與工程師們──他們的聰明才智、創造力以及勤奮，讓193奈米微影的使用壽命大幅超越預期，讓全世界的人類每天都能享受到其中好處。 但是要在可接受的時間表內維持這樣的進展，會是相當大的挑戰，而且需要我們的同業們每隔幾年就繼續挑戰，這對我們的產業來說並非長久之計。反之，採用EUV能大幅降低每一個新製程世代的重複工程，讓7奈米與5奈米製程(以及後繼節點)能共享設計規則；這種製程節點的「家族」方案，能大幅降低微縮時程，為市場更快帶來新的選擇與機會。 簡而言之，雖然在理論上晶片製造商可能不靠EUV繼續向前，但隨著時間繼續推進，這種強大且越來越耐用的技術更具吸引力，對於尖端半導體社群來說也越來越不可或缺。 儘管我們的產業規模如今變得更大，也變得比以往都更重要，得謹記EUV過渡的基本動力就是熟悉度。半導體製造的歷史是不斷的技術過渡──從鋁(AI)、銅(Cu)、多晶矽氮氧化矽(PSiON)、高介電金屬閘極(HKMG)到其他數十種。我們的前輩努力克服了這些艱困的挑戰，在風險與回報之間取得良好的平衡，我們則試圖在未來的許多年延續這種傳統。 ※來源：EET 電子工程專輯
