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　　全球晶圓代工龍頭台積電19日股價收在315元，創下歷史新高，市值也站上8.1兆元關卡，雖在隔日回，收在313.5元，但仍不減台積電擁有先進製程，利戰其他競爭對手的態勢。台積電能透過7奈米製程吸引大量客戶訂單，荷商極紫外光(EUV)微影技術設備供應商艾司摩爾(ASML)功勞極大，由於半導體技術尺度進入奈米的千分之一，甚至是「一顆」奈米級別的灰塵，都是晶圓製造成敗關鍵。

　　台積電10月17日法說會召開前，許多外資包括里昂、花旗、麥格理以及摩根大通給出超過300元以上的目標價先行搶位，高盛更是將目標價至340元，為外資最高目標價，台積電也不負眾望，從法說會當天收盤價293.5元，到11月20日已經來到313.5元價位。

　　台積電先前新聞稿就指出，極紫外光（EUV）微影技術之7奈米強效版(N7+)製程已協助客戶產品大量進入市場。導入EUV微影技術的N7+奠基於台積公司成功的7奈米製程之上，為6奈米和更先進製程奠定良好基礎。

　　在全球第二大晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries，格芯)在去年8年宣布放棄7奈米製程研發後，全球只剩下台積電及其競爭對手三星電子有能力提供7奈米製程的晶圓代工技術。目前EUV微影技術與氬氟雷射紫外光193nm微影技術有著眾多不同之處，後者在電晶體進入十奈米以下後，生產狀況面臨窘境，EUV微影技術一出，無疑是打破摩爾定律走到盡頭的傳聞。

　　據天下雜誌報導，台積自製的光罩基板（mask blank），造價數百萬，上頭80層多層膜反射層，只要有幾顆奈米級的灰塵，就會對晶片良率造成莫大影響。EUV量產階段的最關鍵技術，就是一片50奈米厚度的光罩護膜（pellicle），用在晶圓生產的光罩上頭，只要一顆灰塵掉落，就足以讓整批晶圓報廢。

　　ASML研發副總經理嚴濤南表示，後來台積電在光罩盒加上一種特殊的防塵設計，並大膽量產，台積電從此突破瓶頸，大量使用EUV微影技術製程，技術也遠拋其他對手。

　　不過，EUV微影技術早年由英特爾一手扶持，2012年ASML研發受阻，台積電、三星以及英特爾各出102億元台幣協助，但台積電如今靠著此技術產能滿載，就是靠著龐大研究資金投入所支撐，相較於英特爾、三星晶圓製程是供應自家產品，台積電有著不能輸的壓力，EUV微影技術的成功，也一掃先前發展FinFET工藝落後三星、英特爾的窘境。如今，三星先前財報揭露，要到Q4才會量產EUV製程，英特爾甚至要到2021年才能導入。

※來源：中時電子報