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　　半导体市场正逐渐转移到复杂且小型化的设备，在转移到更低的节点（10 nm 以下） 时，半导体设备厂商需要更高的检测灵敏度，亦需开发更复杂的结构及设计，并导入新材料。

　　所谓光掩膜检测，是为了确保半导体设备的制造材料「光掩膜」有无确实制造的工程。在半导体芯片的生产中，光掩膜检查装置是微影制程前检查光掩膜缺陷的设备。随着光掩膜微距（CD） 越做越小，除了制程开发越来越复杂外，光掩膜检测也越来越难，缺陷之大小、形态及落点何处皆会被曝光印到芯片上，影响芯片的使用率，使得光掩膜缺陷检测设备能力亦须越来越精准，故要确保芯片的良率维持一定的水准，需要芯片厂与光掩膜厂密切的合作。